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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.89 |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 4.5 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF431R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 450V V(BR)DSS | 4.5A I(D) | TO-204AA |
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| IRF432 | FAIRCHILD |
获取价格 |
N-Channel Power MOSFETs, 4.5 A, 450V/500V |
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| IRF432 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
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| IRF432 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 500V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
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| IRF432 | ROCHESTER |
获取价格 |
4A, 500V, 2ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-204AA |
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| IRF432 | NJSEMI |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFETS |
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| IRF432R | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 500V V(BR)DSS | 4A I(D) | TO-204AA |
|
| IRF433 | SAMSUNG |
获取价格 |
N-CHANNEL POWER MOSFETS |
|
| IRF433 | VISHAY |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 450V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o |
|
| IRF433 | NJSEMI |
获取价格 |
Trans MOSFET N-CH 450V 4A 3-Pin (2+Tab) TO-3 |
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