IRF3708S

更新时间： 2024-02-06 14:14:29

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
10页	140K
描述
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF3708S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
雪崩能效等级（Eas）：	213 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	62 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	248 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3708S 数据手册

IRF3708/3708S/3708L

D²Pak Package Outline

Dimensions are shown in millimeters (inches)

10.54 (.415)

10.29 (.405)

10.16 (.400)

REF.

- B -

1.32 (.052)

4.69 (.185)

4.20 (.165)

1.40 (.055)

MAX.

- A -

1.22 (.048)

6.47 (.255)

6.18 (.243)

1.78 (.070)

1.27 (.050)

15.49 (.610)

14.73 (.580)

2.79 (.110)

2.29 (.090)

2.61 (.103)

2.32 (.091)

5.28 (.208)

4.78 (.188)

8.89 (.350)

REF.

1.40 (.055)

1.14 (.045)

1.39 (.055)

1.14 (.045)

0.55 (.022)

0.46 (.018)

0.93 (.037)

0.69 (.027)

5.08 (.200)

0.25 (.010)

B A M

MINIMUM RECOMMENDED FOOTPRINT

11.43 (.450)

8.89 (.350)

LEAD ASSIGNMENTS

1 - GATE

NO TES:

DIMENSIONS AFTER SO LDER DIP.

17.78 (.700)

2 - DRAIN

3 - SOURCE

DIMENSIONING & TOLERANCING PER ANSI Y14.5M, 1982.

CONTROLLING DIMENSION : INCH.

HEATSINK & LEAD DIMENSIONS DO NOT INCLUDE BURRS.

3.81 (.150)

2.54 (.100)

2.08 (.082)

D²Pak Part Marking Information

INTERNATIONAL

RECTIFIER

PART NUMBER

F530S

LOGO

9246

DATE CODE

(YYW W )

ASSEMBLY

YEAR

= W EEK

LOT CODE

W W

www.irf.com

1...5 6 789 10

下载PDF

与IRF3708S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF3708SPBF	INFINEON	SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET	获取价格
IRF3708STRL	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3708STRLPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3708STRR	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3708STRRPBF	INFINEON	暂无描述	获取价格
IRF3709	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id	获取价格