IRF3708S

更新时间： 2024-02-16 01:48:27

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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10页	140K
描述
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A)

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IRF3708S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
雪崩能效等级（Eas）：	213 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	62 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	248 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3708S 数据手册

IRF3708/3708S/3708L

TO-220AB Package Outline

Dimensions are shown in millimeters (inches)

10.54 (.415)

10.29 (.405)

3.7 8 (.14 9)

3.5 4 (.13 9)

2.87 (.1 13)

2.62 (.1 03)

4.69 (.1 85)

4.20 (.1 65)

1 .32 (.05 2)

1 .22 (.04 8)

- A

6.47 (.255 )

6.10 (.240 )

15.24 (.600 )

14.84 (.584 )

1.15 (.045)

M IN

LE A D A S S IG N M E N T S

- G A T E

- D R A IN

- S O U R C E

- D R A IN

1 4.09 (.5 55)

1 3.47 (.5 30)

4 .06 (.16 0)

3 .55 (.14 0)

0 .93 (.03 7)

0 .69 (.02 7)

0.5 5 (.0 22)

0.4 6 (.0 18)

1 .4 0 (.05 5)

3 X

1 .1 5 (.04 5)

0.36 (.0 14)

2 .92 (.11 5)

2 .64 (.10 4)

2.54 (.100)

N O TE S :

D IME N S IO N IN G

TO LE R A N C IN G P E R A N S I Y 14.5M , 19 82.

O U TLIN E C O N F O R M S TO JE D E C O U T LIN E T O -2 20A B .

C O N TR O LLIN G D IM E N S IO N : IN C H

H E A T S IN K

LE A D M E A S U R E M E N T S D O N O T IN C LU D E B U R R S .

TO-220AB Part Marking Information

E XAM PL E : TH IS IS A N IR F 1010

W ITH AS SE M BLY

INTE R N AT ION AL

R E C TIFIE R

PA R T N U M BE R

LO T C O D E 9B 1M

IR F 1010

9246

LO G O

D ATE C O D E

(YYW W )

A S SE M B LY

LOT

C O D E

YEA R

= W EE K

W W

www.irf.com

1...4 5 678 9 10

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与IRF3708S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF3708SPBF	INFINEON	SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET	获取价格
IRF3708STRL	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3708STRLPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3708STRR	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3708STRRPBF	INFINEON	暂无描述	获取价格
IRF3709	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id	获取价格