IRF3708S

更新时间： 2024-01-30 00:21:26

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
10页	140K
描述
Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A)

阅读下载

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRF3708S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
雪崩能效等级（Eas）：	213 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	62 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	248 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3708S 数据手册

IRF3708/3708S/3708L

R_D

V_DS

V_GS

D.U.T.

R_G

⁺V_DD

10V

Pulse Width ≤ 1 µs

Duty Factor ≤ 0.1 %

Fig 10a. Switching Time Test Circuit

90%

100

125

150

175

, Case Temperature ( C)

10%

d(on)

d(off)

Fig 9. Maximum Drain Current Vs.

Case Temperature

Fig 10b. Switching Time Waveforms

D = 0.50

0.20

0.10

0.05

0.1

0.02

0.01

SINGLE PULSE

(THERMAL RESPONSE)

Notes:

1. Duty factor D =

t / t

1 2

2. Peak T =P

x Z

+ T

thJC

0.01

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

t , Rectangular Pulse Duration (sec)

Fig 11. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Case

www.irf.com

1 2 3 456 7 8...10

下载PDF

与IRF3708S相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF3708SPBF	INFINEON	SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET	获取价格
IRF3708STRL	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3708STRLPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3708STRR	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3708STRRPBF	INFINEON	暂无描述	获取价格
IRF3709	INFINEON	Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=9.0mohm, Id	获取价格