IRF3708S

更新时间： 2024-01-31 22:33:23

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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10页	140K
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Power MOSFET(Vdss=30V, Rds(on)max=12mohm, Id=62A)

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IRF3708S 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
雪崩能效等级（Eas）：	213 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	62 A	最大漏源导通电阻：	0.012 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	248 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRF3708S 数据手册

IRF3708/3708S/3708L

1000

100

1000

VGS

10.0V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.3V

3.0V

VGS

TOP

10.0V

5.0V

4.5V

4.0V

3.5V

3.3V

3.0V

100

BOTTOM 2.7V

2.7V

20µs PULSE WIDTH

Tj = 175°C

Tj = 25°C

0.1

100

0.1

100

, Drain-to-Source Voltage (V)

Fig 1. Typical Output Characteristics

Fig 2. Typical Output Characteristics

2.5

1000

100

62A

2.0

1.5

1.0

0.5

0.0

T = 25 C

T = 175 C

= 15V

20µs PULSE WIDTH

= 10V

2.0

3.0

4.0

5.0

6.0

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160 180

, Gate-to-Source Voltage (V)

T , Junction Temperature ( C)

Fig 4. Normalized On-Resistance

Fig 3. Typical Transfer Characteristics

Vs. Temperature

www.irf.com

1 234 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IRF3708SPBF	INFINEON	SMPS MOSFET HEXFET㈢Power MOSFET	获取价格
IRF3708STRL	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3708STRLPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3708STRR	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 62A I(D), 30V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met	获取价格
IRF3708STRRPBF	INFINEON	暂无描述	获取价格
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