IRF3707ZPBF

更新时间： 2024-01-05 07:48:30

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HEXFET Power MOSFET

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IRF3707ZPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.0095 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	230 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF3707ZPBF 数据手册

IRF3707Z/S/LPbF

15V

175

150

125

100

TOP

4.5A

6.8A

DRIVER

BOTTOM 23A

D.U.T

2V0_GV_S

Ω

0.01

Fig 12a. Unclamped Inductive Test Circuit

(BR)DSS

100

125

150

175

Starting T , Junction Temperature (°C)

Fig 12c. Maximum Avalanche Energy

vs. Drain Current

L_D

V_DS

Fig 12b. Unclamped Inductive Waveforms

V_DD

D.U.T

Current Regulator

V_GS

Same Type as D.U.T.

Pulse Width < 1µs

Duty Factor < 0.1%

50KΩ

.2µF

12V

.3µF

Fig 14a. Switching Time Test Circuit

V_DS

D.U.T.

90%

3mA

10%

V_GS

Current Sampling Resistors

t_d(on)

t_d(off)

t_r

t_f

Fig 13. Gate Charge Test Circuit

Fig 14b. Switching Time Waveforms

www.irf.com

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