IRF3707ZPBF

更新时间： 2024-01-12 20:13:16

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12页	277K
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HEXFET Power MOSFET

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IRF3707ZPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.66
雪崩能效等级（Eas）：	40 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏极电流 (ID)：	42 A	最大漏源导通电阻：	0.0095 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	230 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IRF3707ZPBF 数据手册

IRF3707Z/S/LPbF

D²Pak Tape & Reel Information

Dimensions are shown in millimeters (inches)

TRR

1.60 (.063)

1.50 (.059)

1.60 (.063)

1.50 (.059)

4.10 (.161)

3.90 (.153)

0.368 (.0145)

0.342 (.0135)

FEED DIRECTION

1.85 (.073)

11.60 (.457)

11.40 (.449)

1.65 (.065)

24.30 (.957)

23.90 (.941)

15.42 (.609)

15.22 (.601)

TRL

1.75 (.069)

1.25 (.049)

10.90 (.429)

10.70 (.421)

4.72 (.136)

4.52 (.178)

16.10 (.634)

15.90 (.626)

FEED DIRECTION

13.50 (.532)

12.80 (.504)

27.40 (1.079)

23.90 (.941)

330.00

(14.173)

MAX.

60.00 (2.362)

MIN.

30.40 (1.197)

MAX.

NOTES :

1. COMFORMS TO EIA-418.

2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER.

3. DIMENSION MEASURED @ HUB.

4. INCLUDES FLANGE DISTORTION @ OUTER EDGE.

26.40 (1.039)

24.40 (.961)

Notes:

Repetitive rating; pulse width limited by

max. junction temperature.

Starting T_J= 25°C, L = 0.15mH, R_G= 25Ω,

I_AS= 23A.

Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%.

C_osseff. is a fixed capacitance that gives the same

charging time as C_osswhile V_DSis rising from 0 to

ꢀ This is only applied to TO-220AB pakcage.

This is applied to D²Pak, when mounted on 1" square PCB (FR-

4 or G-10 Material). For recommended footprint and soldering

techniques refer to application note #AN-994.

Calculated continuous current based on maximum allowable

junction temperature. Package limitation current is 42A.

80% V_DSS

TO-220AB package is not recommended for Surface Mount Application.

Data and specifications subject to change without notice.

This product has been designed and qualified for the Industrial market.

Qualification Standards can be found on IR’s Web site.

IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105

TAC Fax: (310) 252-7903

Visit us at www.irf.com for sales contact information. 05/04

www.irf.com

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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IRF3707ZSTRLPBF	INFINEON	暂无描述	获取价格
IRF3707ZSTRR	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 59A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格
IRF3707ZSTRRPBF	INFINEON	Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me	获取价格

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