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| 生命周期： | Active | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.62 | 雪崩能效等级（Eas）： | 300 mJ |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 100 V | 最大漏极电流 (ID)： | 5.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.6 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-220AB | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 21 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF200 | ETC |
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50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED |
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| IRF200B211 | INFINEON |
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Brushed Motor drive applications |
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| IRF200B211_15 | INFINEON |
获取价格 |
Brushed Motor drive applications |
|
| IRF200P222 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 182A I(D), 200V, 0.0066ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
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| IRF200P223 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 200V, 0.0115ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, |
|
| IRF200S100RJ | ETC |
获取价格 |
50W to 500W HIGH POWER WIRE WOUND RESISTORS FLAT SHAPED ALUMINUM HOUSED |
|
| IRF200S234 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, |
|
| IRF2084PBF | INFINEON |
获取价格 |
AUTOMOTIVE MOSFET |
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| IRF220 | INTERSIL |
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4.0A and 5.0A, 150V and 200V, 0.8 and 1.2 Ohm, N-Channel Power MOSFETs |
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| IRF220 | FAIRCHILD |
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N-Channel Power MOSFETs, 7A, 150-200V |
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