5秒后页面跳转
| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.18 | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE | 最小漏源击穿电压： | 80 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 14 A | 最大漏源导通电阻： | 0.16 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-204AA |
| JESD-30 代码： | O-MBFM-P2 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | METAL |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 56 A | 认证状态： | COMMERCIAL |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | PIN/PEG | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRF1310N | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A) |
|
| IRF1310NL | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A) |
|
| IRF1310NLPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF1310NPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET POWER MOSFET |
|
| IRF1310NS | INFINEON |
获取价格 |
Power MOSFET(Vdss=100V, Rds(on)=0.036ohm, Id=42A) |
|
| IRF1310NSPBF | INFINEON |
获取价格 |
HEXFET Power MOSFET |
|
| IRF1310NSTRL | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 42A I(D) | TO-263AB |
|
| IRF1310NSTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF1310NSTRR | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IRF1310NSTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 42A I(D), 100V, 0.036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
AMD宣布全球裁员约1000人，调整战略聚焦增长
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
