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IPP100N04S204AKSA2

更新时间： 2024-11-04 21:15:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 155K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IPP100N04S204AKSA2 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
Factory Lead Time：1 week风险等级：5.67
其他特性：AVALANCHE RATED雪崩能效等级（Eas）：810 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：40 V
最大漏极电流 (ID)：100 A最大漏源导通电阻：0.0036 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPP100N04S204AKSA2 数据手册

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IPB100N04S2-04  
IPP100N04S2-04  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
40  
3.3  
100  
V
• N-channel - Enhancement mode  
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (lead free)  
• Ultra low Rds(on)  
I D  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
IPB100N04S2-04  
IPP100N04S2-04  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
SP0002-19061  
SP0002-19056  
PN0404  
PN0404  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
100  
100  
A
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
Avalanche energy, single pulse2)  
Gate source voltage4)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D=80A  
400  
810  
mJ  
V
VGS  
±20  
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
300  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-55 ... +175  
Rev. 1.0  
page 1  
2006-03-02  
12345678

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IPP100N04S204AKSA2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
AUIRF1404 INFINEON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP100N04S2L-03 INFINEON

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 		OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPP100N04S2L03AKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP100N04S2L03AKSA2 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP100N04S3-03 INFINEON

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 		OptiMOS-T Power-Transistor
IPP100N04S303AKSA1 INFINEON

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 		OptiMOS Power-Transistor
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