5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPP100N04S2L03AKSA1
IPP100N04S2L03AKSA1 PDF预览

IPP100N04S2L03AKSA1

更新时间： 2024-09-15 19:58:59
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 150K
描述
Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-Oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPP100N04S2L03AKSA1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：5.67其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：810 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：40 V最大漏极电流 (ID)：100 A
最大漏源导通电阻：0.0033 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：400 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPP100N04S2L03AKSA1 数据手册

 浏览型号IPP100N04S2L03AKSA1的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPP100N04S2L03AKSA1的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPP100N04S2L03AKSA1的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPP100N04S2L03AKSA1的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPP100N04S2L03AKSA1的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPP100N04S2L03AKSA1的Datasheet PDF文件第7页 
IPB100N04S2L-03  
IPP100N04S2L-03  
OptiMOS® Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
VDS  
40  
3.0  
100  
V
• N-channel Logic Level - Enhancement mode  
R
DS(on),max (SMD version)  
mΩ  
A
• Automotive AEC Q101 qualified  
• MSL1 up to 260°C peak reflow  
• 175°C operating temperature  
• Green package (lead free)  
• Ultra low Rds(on)  
I D  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
• 100% Avalanche tested  
Type  
Package  
Ordering Code Marking  
IPB100N04S2L-03  
IPP100N04S2L-03  
PG-TO263-3-2  
PG-TO220-3-1  
SP0002-19065  
SP0002-19062  
PN04L03  
PN04L03  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol  
Conditions  
Unit  
Continuous drain current1)  
I D  
T C=25 °C, VGS=10 V  
T C=100 °C,  
100  
100  
A
V
GS=10 V2)  
Pulsed drain current2)  
Avalanche energy, single pulse2)  
Gate source voltage4)  
I D,pulse  
EAS  
T C=25 °C  
I D=80A  
400  
810  
mJ  
V
VGS  
±20  
Ptot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
300  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
-55 ... +175  
Rev. 1.0  
page 1  
2006-03-02  
12345678

中文翻译

下载PDF

与IPP100N04S2L03AKSA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP100N04S2L03AKSA2 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP100N04S3-03 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T Power-Transistor
IPP100N04S303AKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP100N04S4-02 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T2 Power-Transistor
IPP100N06S2-05 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS Power-Transistor
IPP100N06S205AKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.005ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPP100N06S2L-05 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS Power-Transistor
IPP100N06S2L05AKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP100N06S2L05AKSA2 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 55V, 0.0059ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP100N06S3-03 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢-T Power-Transistor

与IPP100N04S2L03AKSA1相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证