5秒后页面跳转
IPP08CN10LG PDF预览

IPP08CN10LG

更新时间: 2024-11-21 11:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
9页 260K
描述
OptiMOS2 Power-Transistor

IPP08CN10LG 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TO-220AB包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99风险等级:5.82
其他特性:LOGIC LEVEL COMPATIBLE雪崩能效等级(Eas):254 mJ
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID):98 A最大漏极电流 (ID):98 A
最大漏源导通电阻:0.008 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:175 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):167 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):392 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:MATTE TIN端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPP08CN10LG 数据手册

 浏览型号IPP08CN10LG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPP08CN10LG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPP08CN10LG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPP08CN10LG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPP08CN10LG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPP08CN10LG的Datasheet PDF文件第7页 
IPP08CN10L G  
OptiMOS®2 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
100  
8
V
• N-channel, logic level  
R DS(on),max  
I D  
m:  
A
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
98  
• 175 °C operating temperature  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
• Qualified according to JEDEC1) for target application  
• Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification  
Type  
IPP08CN10L G  
Package  
Marking  
PG-TO220-3  
08CN10L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
98  
70  
A
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
E AS  
T C=25 °C  
392  
254  
I D=98 A, R GS=25 :  
Avalanche energy, single pulse  
mJ  
I D=95 A, V DS=80 V,  
di /dt =100 A/μs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/μs  
T
j,max=175 °C  
Gate source voltage3)  
V GS  
20  
V
P tot  
T C=25 °C  
Power dissipation  
167  
W
°C  
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
IEC climatic category; DIN IEC 68-1  
-55 ... 175  
55/175/56  
Rev. 0.6  
page 1  
2007-08-30  

IPP08CN10LG 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPP08CN10NG INFINEON

完全替代

OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP085N06LG INFINEON

完全替代

OptiMOS㈢ Power-Transistor
SPP80N06S-08 INFINEON

功能相似

SIPMOS㈢ Power-Transistor

与IPP08CN10LG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP08CN10N INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP08CN10NG INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP08CNE8N INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP08CNE8NG INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPP091N06NG INFINEON

获取价格

OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPP093N06N3G INFINEON

获取价格

OptiMOS?3 Power-Transistor
IPP096N03L INFINEON

获取价格

OptiMOS?3 Power-Transistor
IPP096N03LG INFINEON

获取价格

OptiMOS3 Power-Transistor
IPP096N03LG_10 INFINEON

获取价格

OptiMOS3 Power-Transistor
IPP09N03LA INFINEON

获取价格

OptiMOS 2 Power-Transistor