5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IPP096N03LG
IPP096N03LG PDF预览

IPP096N03LG

更新时间： 2024-09-15 11:08:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON /
页数 文件大小 规格书
10页 294K
描述
OptiMOS3 Power-Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPP096N03LG 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.81其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：40 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：35 A
最大漏极电流 (ID)：35 A最大漏源导通电阻：0.0141 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：42 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：245 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子面层：MATTE TIN
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPP096N03LG 数据手册

 浏览型号IPP096N03LG的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPP096N03LG的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPP096N03LG的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPP096N03LG的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPP096N03LG的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPP096N03LG的Datasheet PDF文件第7页 
IPP096N03L G  
IPB096N03L G  
OptiMOS®3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
9.6  
35  
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
m:  
A
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating; RoHS compliant  
Type  
IPP096N03L G  
IPB096N03L G  
Package  
Marking  
PG-TO220-3  
096N03L  
PG-TO263-3  
096N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
35  
35  
35  
A
GS=10 V, T C=100 °C  
GS=4.5 V, T C=25 °C  
V
GS=4.5 V,  
30  
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
245  
35  
Avalanche current, single pulse3)  
T C=25 °C  
E AS  
I D=12 A, R GS=25 :  
Avalanche energy, single pulse  
40  
mJ  
I D=35 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/μs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/μs  
V
T
j,max=175 °C  
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
20  
Rev. 1.02  
page 1  
2007-08-29  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

与IPP096N03LG相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPP096N03LG_10 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS3 Power-Transistor
IPP09N03LA INFINEON

获取价格

 		OptiMOS 2 Power-Transistor
IPP100N04S2-04 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPP100N04S204AKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP100N04S204AKSA2 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0036ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP100N04S2L-03 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS㈢ Power-Transistor
IPP100N04S2L03AKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP100N04S2L03AKSA2 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPP100N04S3-03 INFINEON

获取价格

 		OptiMOS-T Power-Transistor
IPP100N04S303AKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 100A I(D), 40V, 0.0028ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M

与IPP096N03LG相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证