5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | SOIC |
| 包装说明： | SOP, | 针数： | 16 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8542.39.00.01 | 风险等级： | 5.84 |
| 差分输出： | NO | 接口集成电路类型： | DIODE BUS TERMINATION ARRAY |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G16 | 长度： | 9.9 mm |
| 功能数量： | 1 | 信号线数量： | 8 |
| 端子数量： | 16 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | |
| 封装代码： | SOP | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 认证状态： | Not Qualified |
| 座面最大高度： | 1.75 mm | 表面贴装： | YES |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 1.27 mm | 端子位置： | DUAL |
| 宽度： | 3.9 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IP-ED8B10B | ETC |
获取价格 |
Telecomm/Datacomm |
|
| IPF009N04NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 40 V f |
|
| IPF010N04NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 40 V f |
|
| IPF010N06NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V f |
|
| IPF012N06NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 60 V f |
|
| IPF013N04NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 40 V f |
|
| IPF014N08NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 80 V f |
|
| IPF015N10N5 | INFINEON |
获取价格 |
The IPF015N10N5 is Infineon’s OptiMOS™ 5 powe |
|
| IPF016N06NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET? 2 power MOSFET 60 V features low RDS(on) of 1.65 mOhm, addressing |
|
| IPF016N10NF2S | INFINEON |
获取价格 |
Infineon's StrongIRFET™ 2 power MOSFET 100 V |
|
英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
