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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252 |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3 | 针数： | 4 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.84 | Is Samacsys： | N |
| 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE | 雪崩能效等级（Eas）： | 430 mJ |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 30 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 50 A | 最大漏极电流 (ID)： | 50 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.0058 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 175 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 115 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 200 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPF050N03LG | INFINEON |
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Fast switching MOSFET for SMPS Optimized technology for DC/DC converters |
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| IPF050N10NF2S | INFINEON |
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Infineon's StrongIRFET? 2 power MOSFET 100 V features low RDS(on) of 5 mOhm, addressing a |
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| IPF05N03LA | INFINEON |
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OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPF05N03LAG | INFINEON |
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OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPF05N03LBG | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 90A I(D), 30V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPF060N03LG | INFINEON |
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OptiMOS™3 Power-Transistor Features Fast swit |
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| IPF067N20NM6 | INFINEON |
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IPF067N20NM6 OptiMOS? 6 200 V?is setting the new technology standard. It addresses the nee |
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| IPF06N03LA | INFINEON |
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OptiMOS 2 Power-Transistor |
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| IPF06N03LAG | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢2 Power-Transistor |
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| IPF06N03LBG | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 50A I(D), 30V, 0.0061ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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