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IPF060N03LG PDF预览

IPF060N03LG

更新时间： 2024-09-19 05:39:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
12页 521K
描述
OptiMOS™3 Power-Transistor Features Fast switching MOSFET for SMPS

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IPF060N03LG 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G3
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.83其他特性：AVALANCHE RATED, LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：60 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：50 A
最大漏极电流 (ID)：50 A最大漏源导通电阻：0.009 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：56 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：350 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：YES
端子面层：MATTE TIN端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPF060N03LG 数据手册

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IPD060N03L G  
IPS060N03L G  
IPF060N03L G  
IPU060N03L G  
OptiMOS™3 Power-Transistor  
Product Summary  
Features  
V DS  
30  
6
V
• Fast switching MOSFET for SMPS  
• Optimized technology for DC/DC converters  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
R DS(on),max  
I D  
mΩ  
A
50  
• N-channel, logic level  
• Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)  
• Very low on-resistance R DS(on)  
• Avalanche rated  
• Pb-free plating  
Type  
IPD060N03L G  
IPF060N03L G  
IPS060N03L G  
IPU060N03L G  
Package  
Marking  
PG-TO252-3  
060N03L  
PG-TO252-3-23  
060N03L  
PG-TO251-3-11  
060N03L  
PG-TO251-3  
060N03L  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
V
V
V
GS=10 V, T C=25 °C  
GS=10 V, T C=100 °C  
GS=4.5 V, T C=25 °C  
Continuous drain current  
50  
50  
50  
A
V
GS=4.5 V,  
43  
T C=100 °C  
Pulsed drain current2)  
I D,pulse  
I AS  
T C=25 °C  
350  
50  
Avalanche current, single pulse3)  
T C=25 °C  
E AS  
I D=20 A, R GS=25 Ω  
Avalanche energy, single pulse  
60  
mJ  
I D=50 A, V DS=24 V,  
di /dt =200 A/µs,  
Reverse diode dv /dt  
dv /dt  
6
kV/µs  
V
T
j,max=175 °C  
V GS  
Gate source voltage  
1) J-STD20 and JESD22  
±20  
Rev. 2.0  
page 1  
2010-02-23  
1234567...12

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