IPF05N03LA

更新时间： 2024-09-18 22:33:43

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OptiMOS 2 Power-Transistor

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IPF05N03LA 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252	包装说明：	PLASTIC, TO-252, 3 PIN
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.34
其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE	雪崩能效等级（Eas）：	300 mJ
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	50 A	最大漏极电流 (ID)：	50 A
最大漏源导通电阻：	0.0084 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G3
JESD-609代码：	e0	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	255
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	350 A	认证状态：	Not Qualified
子类别：	FET General Purpose Power	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPF05N03LA 数据手册

IPD05N03LA IPF05N03LA

IPS05N03LA IPU05N03LA

OptiMOS^®2 Power-Transistor

Product Summary

V _DS

Features

5.1

• Ideal for high-frequency dc/dc converters

• Qualified according to JEDEC¹⁾for target application

_DS(on),max(SMD version)

mΩ

I _D

• N-channel, logic level

• Excellent gate charge x R _DS(on)product (FOM)

• Superior thermal resistance

• 175 °C operating temperature

Type

IPD05N03LA

IPF05N03LA

IPS05N03LA

IPU05N03LA

Type

Package

Ordering Code

Marking

IPD05N03LA

IPPaFc0k5aNg0e3LA

IOPrSd0e5rNin0g3CLAode

IMPaUr0k5inNg03LA

P-TO252-3-11

Q67042-S4144

05N03LA

P-TOP2-5T2O-32-5121-3-23 P-QT6O7205422--3S-23

Q670P4-2T-OS245114-43-11 QQ676074024-2S-4S194

05N0P3-LTAO251-3-21 05QN60730L4A2-S4230

05PN-T0O3L2A51-3-11

05QN60730L4A2-S4244

050N5N030L3ALA

P-TO251-3-21

Q67042-S4230

05N03LA

Maximum ratings, at T _j=25 °C, unless otherwise specified

Value

Parameter

Symbol Conditions

Unit

T _C=25 °C²⁾

I _D

Continuous drain current

T _C=100 °C

T _C=25 °C³⁾

I _D,pulse

Pulsed drain current

350

300

E _AS

I _D=45 A, R _GS=25 Ω

Avalanche energy, single pulse

I _D=50 A, V _DS=20 V,

di /dt =200 A/µs,

Reverse diode dv /dt

dv /dt

kV/µs

_j,max=175 °C

Gate source voltage⁴⁾

V _GS

±20

P _tot

T _C=25 °C

Power dissipation

°C

T _j, T _stg

Operating and storage temperature

IEC climatic category; DIN IEC 68-1

-55 ... 175

55/175/56

Rev. 1.7

page 1

2004-05-19

12 3 4 5 6 7...11

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