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IPD60R1K5CE

更新时间： 2024-02-26 12:45:27

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英飞凌 - INFINEON		开关脉冲晶体管
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14页	1554K
描述
600V CoolMOSÂª CE Power Transistor

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技术参数
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IPD60R1K5CE 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.88
雪崩能效等级（Eas）：	26 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	5 A	最大漏源导通电阻：	1.5 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	湿度敏感等级：	3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-40 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	49 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	8 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPD60R1K5CE 数据手册

600VꢀCoolMOSªꢀCEꢀPowerꢀTransistor

IPD60R1K5CE,ꢀIPU60R1K5CE

4ꢀꢀꢀꢀꢀElectricalꢀcharacteristicsꢀdiagrams

Diagramꢀ1:ꢀPowerꢀdissipationꢀ(NonꢀFullPAK)

Diagramꢀ2:ꢀSafeꢀoperatingꢀareaꢀ(NonꢀFullPAK)

10¹

1 µs

10 µs

100 µs

10⁰

10^-1

10^-2

10^-3

1 ms

100

125

150

10⁰

10¹

10²

10³

T_Cꢀ[°C]

V_DSꢀ[V]

P_tot=f(T_C)

I_D=f(V_DS);ꢀT_C=25ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀt_p

Diagramꢀ3:ꢀSafeꢀoperatingꢀareaꢀ(NonꢀFullPAK)

Diagramꢀ4:ꢀMax.ꢀtransientꢀthermalꢀimpedanceꢀ(NonꢀFullPAK)

10¹

1 µs

10 µs

100 µs

10⁰

10^-1

10^-2

10^-3

0.5

1 ms

10⁰

0.2

0.1

0.05

0.02

0.01

single pulse

10^-1

10^-2

10⁰

10¹

10²

10³

10^-5

10^-4

10^-3

10^-2

10^-1

V_DSꢀ[V]

t_pꢀ[s]

I_D=f(V_DS);ꢀT_C=80ꢀ°C;ꢀD=0;ꢀparameter:ꢀt_p

Z_thJCꢀ=f(t_P);ꢀparameter:ꢀD=t_p/T

Final Data Sheet

2016-03-31

1...3 4 567 8 9...14

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