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IPD60R1K5CE

更新时间： 2024-02-01 04:53:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 1554K
描述
600V CoolMOSª CE Power Transistor

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IPD60R1K5CE 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：0.88
雪崩能效等级（Eas）：26 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：5 A最大漏源导通电阻：1.5 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-252
JESD-30 代码：R-PSSO-G2湿度敏感等级：3
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：49 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：8 A表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPD60R1K5CE 数据手册

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600VꢀCoolMOSªꢀCEꢀPowerꢀTransistor  
IPD60R1K5CE,ꢀIPU60R1K5CE  
1ꢀꢀꢀꢀꢀMaximumꢀratings  
atꢀTjꢀ=ꢀ25°C,ꢀunlessꢀotherwiseꢀspecified  
Tableꢀ2ꢀꢀꢀꢀꢀMaximumꢀratings  
Values  
Typ.  
Parameter  
Symbol  
Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
Min.  
Max.  
-
-
-
-
5
3.2  
TC=25°C  
A
Continuous drain current1)  
ID  
TC=100°C  
Pulsed drain current2)  
ID,pulse  
EAS  
-
-
-
-
-
-
-
-
8
A
TC=25°C  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive  
Avalanche current, repetitive  
MOSFET dv/dt ruggedness  
Gate source voltage (static)  
Gate source voltage (dynamic)  
-
26  
0.09  
0.6  
50  
20  
30  
mJ  
mJ  
A
ID=0.6A; VDD=50V; see table 11  
EAR  
-
ID=0.6A; VDD=50V; see table 11  
-
IAR  
-
dv/dt  
VGS  
VGS  
-
V/ns VDS=0...480V  
-20  
-30  
V
V
static;  
AC (f>1 Hz)  
Power dissipation  
TO-251, TO252  
Ptot  
-
-
49  
W
TC=25°C  
Storage temperature  
Tstg  
Tj  
-40  
-40  
-
-
-
-
-
150  
150  
3.5  
8
°C  
°C  
A
-
Operating junction temperature  
Continuous diode forward current  
Diode pulse current2)  
-
IS  
TC=25°C  
TC=25°C  
IS,pulse  
-
A
VDS=0...400V,ꢀISD<=IS,ꢀTj=25°Cꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
see table 9  
Reverse diode dv/dt3)  
dv/dt  
dif/dt  
-
-
-
-
15  
V/ns  
VDS=0...400V,ꢀISD<=IS,ꢀTj=25°Cꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
see table 9  
Maximum diode commutation speed  
500  
A/µs  
2ꢀꢀꢀꢀꢀThermalꢀcharacteristics  
Tableꢀ3ꢀꢀꢀꢀꢀThermalꢀcharacteristicsꢀꢀTO-251,ꢀTO252  
Values  
Parameter  
Symbol  
Unit Noteꢀ/ꢀTestꢀCondition  
Min.  
Typ.  
Max.  
2.57  
62  
Thermal resistance, junction - case  
RthJC  
-
-
-
-
°C/W -  
Thermal resistance, junction - ambient RthJA  
°C/W leaded  
Soldering temperature, wavesoldering  
only allowed at leads  
Tsold  
-
-
260  
°C  
1.6mm (0.063 in.) from case for 10s  
1) Limited by Tj max. Maximum duty cycle D=0.50  
2) Pulse width tp limited by Tj,max  
3)ꢀIdenticalꢀlowꢀsideꢀandꢀhighꢀsideꢀswitchꢀwithꢀidenticalꢀRG  
Final Data Sheet  
3
2016-03-31  
1234567...14

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
IPD60R1K5CE_16 INFINEON 600V CoolMOSª CE Power Transistor

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