5秒后页面跳转
| 生命周期： | Active | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.62 | 其他特性： | LOGIC LEVEL COMPATIBLE |
| 雪崩能效等级（Eas）： | 250 mJ | 外壳连接： | DRAIN |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 55 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 80 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0056 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-263 |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 320 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB80N06S3L-08 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS㈢-T Power-Transistor |
|
| IPB80N06S3L-08_07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPB80N06S4-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPB80N06S4-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPB80N06S407ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB80N06S407ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0071ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB80N06S4L-05 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
| IPB80N06S4L05ATMA1 | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IPB80N06S4L05ATMA2 | INFINEON |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.0048ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
|
| IPB80N06S4L-07 | INFINEON |
获取价格 |
OptiMOS-T2 Power-Transistor |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
