是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Active |
包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code: | compliant |
Factory Lead Time: | 18 weeks | 风险等级: | 1.62 |
雪崩能效等级(Eas): | 53 mJ | 外壳连接: | DRAIN |
配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压: | 600 V |
最大漏极电流 (ID): | 13 A | 最大漏源导通电阻: | 0.18 Ω |
FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码: | TO-263AB |
JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
最低工作温度: | -55 °C | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型: | N-CHANNEL |
最大脉冲漏极电流 (IDM): | 45 A | 表面贴装: | YES |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管应用: | SWITCHING |
晶体管元件材料: | SILICON | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IPB60R180P7 | INFINEON |
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600V CoolMOS? P7 超结 (SJ) MOSFET 是 600V CoolMO | |
IPB60R180P7ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.18ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S | |
IPB60R190C6 | INFINEON |
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Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor | |
IPB60R190C6ATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB60R190C6XT | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 20.2A I(D), 600V, 0.19ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M | |
IPB60R190P6 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet | |
IPB60R190P6_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet | |
IPB60R199CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor | |
IPB60R199CP_09 | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor | |
IPB60R199CPA | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |