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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> IPB60R250CP
IPB60R250CP PDF预览

IPB60R250CP

更新时间： 2024-11-24 11:08:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
10页 265K
描述
CoolMOSTM Power Transistor

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IPB60R250CP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.69
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：345 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：12 A
最大漏极电流 (ID)：12 A最大漏源导通电阻：0.25 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：104 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB60R250CP 数据手册

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IPB60R250CP  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
DS @ Tj,max  
R DS(on),max  
Q g,typ  
V
650  
0.250  
26  
V
• Lowest figure-of-merit RONxQg  
• Ultra low gate charge  
Ω
nC  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
P-TO263-3  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
CoolMOS is designed for:  
Hard switching SMPS topologies  
Type  
Package  
Marking  
IPB60R250CP  
P-TO263  
6R250P  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
12  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
Continuous drain current  
A
8
Pulsed drain current2)  
40  
I D,pulse  
E AS  
E AR  
I AR  
I D=5.2 A, V DD=50 V  
I D=5.2 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
345  
0.52  
5.2  
mJ  
2),3)  
2),3)  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
V
DS=0...480 V  
50  
dv /dt  
V/ns  
V
V GS  
±20  
static  
±30  
AC (f >1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
104  
-55 ... 150  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
Operating and storage temperature  
°C  
Rev. 2.1  
page 1  
2009-04-01  
1234567...10

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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 		Material Content Data Sheet
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