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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | Factory Lead Time： | 18 weeks |
| 风险等级： | 5.69 | 雪崩能效等级（Eas）： | 418 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 600 V | 最大漏极电流 (ID)： | 20.2 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.19 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-263AB | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 59 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IPB60R190P6 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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| IPB60R190P6_15 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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| IPB60R199CP | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPB60R199CP_09 | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPB60R199CPA | INFINEON |
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CoolMOS Power Transistor |
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| IPB60R199CPAATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB60R199CPATMA1 | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IPB60R199CPAXT | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IPB60R210CFD7 | INFINEON |
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This?600V CoolMOS? CFD7?Superjunction MOSFET IPB60R210CFD7?in D2PAK package is?Infineon's |
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| IPB60R230P6 | INFINEON |
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Material Content Data Sheet |
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