5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> IPB60R199CPA
IPB60R199CPA PDF预览

IPB60R199CPA

更新时间： 2024-11-24 11:08:43
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
11页 351K
描述
CoolMOS Power Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

IPB60R199CPA 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：D2PAK
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：4
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.65
雪崩能效等级（Eas）：436 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏极电流 (ID)：16 A最大漏源导通电阻：0.199 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-263AB
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：51 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB60R199CPA 数据手册

 浏览型号IPB60R199CPA的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IPB60R199CPA的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IPB60R199CPA的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IPB60R199CPA的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IPB60R199CPA的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IPB60R199CPA的Datasheet PDF文件第7页 
IPB60R199CPA  
CoolMOS® Power Transistor  
Product Summary  
V DS  
600  
0.199  
33  
V
R DS(on),max  
Q g,typ  
Ω
nC  
Features  
• Lowest figure-of-merit Ron x Qg  
• Ultra low gate charge  
• Extreme dv/dt rated  
PG-TO263-3  
• High peak current capability  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• Green package (RoHS compliant)  
CoolMOS CPA is specially designed for:  
• DC/DC converters for Automotive Applications  
Type  
Package  
Marking  
IPB60R199CPA  
PG-TO263-3  
6R199A  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
16  
10  
Continuous drain current  
A
Pulsed drain current1)  
51  
I D,pulse  
E AS  
E AR  
I D=6.6 A, V DD=50 V  
I D=6.6 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
436  
mJ  
A
1),2)  
1),2)  
0.66  
6.6  
Avalanche energy, repetitive t AR  
I AR  
Avalanche current, repetitive t AR  
V DS=0...480 V  
static  
50  
±20  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
Power dissipation  
dv /dt  
V GS  
P tot  
T j  
V/ns  
V
T C=25 °C  
139  
W
-40 ... 150  
-40 ... 150  
Operating temperature  
Storage temperature  
°C  
T stg  
Rev. 2.0  
page 1  
2009-09-01  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

与IPB60R199CPA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB60R199CPAATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB60R199CPATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB60R199CPAXT INFINEON

获取价格

 		暂无描述
IPB60R210CFD7 INFINEON

获取价格

 		This?600V CoolMOS? CFD7?Superjunction MOSFET IPB60R210CFD7?in D2PAK package is?Infineon's
IPB60R230P6 INFINEON

获取价格

 		Material Content Data Sheet
IPB60R230P6_15 INFINEON

获取价格

 		Material Content Data Sheet
IPB60R250CP INFINEON

获取价格

 		CoolMOSTM Power Transistor
IPB60R280C6 INFINEON

获取价格

 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPB60R280C6ATMA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IPB60R280CFD7 INFINEON

获取价格

 		This 600V CoolMOS™ CFD7 Superjunction MOSFET

与IPB60R199CPA相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证