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IPB60R199CPAATMA1

更新时间： 2024-11-05 19:56:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 352K
描述
Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-263AB, GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN

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IPB60R199CPAATMA1 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Not Recommended零件包装代码：D2PAK
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-263, 3 PIN针数：4
Reach Compliance Code：not_compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.66雪崩能效等级（Eas）：436 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (ID)：16 A
最大漏源导通电阻：0.199 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：51 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IPB60R199CPAATMA1 数据手册

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IPB60R199CPA  
CoolMOS® Power Transistor  
Product Summary  
V DS  
600  
0.199  
33  
V
R DS(on),max  
Q g,typ  
Ω
nC  
Features  
• Lowest figure-of-merit Ron x Qg  
• Ultra low gate charge  
• Extreme dv/dt rated  
PG-TO263-3  
• High peak current capability  
• Automotive AEC Q101 qualified  
• Green package (RoHS compliant)  
CoolMOS CPA is specially designed for:  
• DC/DC converters for Automotive Applications  
Type  
Package  
Marking  
IPB60R199CPA  
PG-TO263-3  
6R199A  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
16  
10  
Continuous drain current  
A
Pulsed drain current1)  
51  
I D,pulse  
E AS  
E AR  
I D=6.6 A, V DD=50 V  
I D=6.6 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
436  
mJ  
A
1),2)  
1),2)  
0.66  
6.6  
Avalanche energy, repetitive t AR  
I AR  
Avalanche current, repetitive t AR  
V DS=0...480 V  
static  
50  
±20  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
Power dissipation  
dv /dt  
V GS  
P tot  
T j  
V/ns  
V
T C=25 °C  
139  
W
-40 ... 150  
-40 ... 150  
Operating temperature  
Storage temperature  
°C  
T stg  
Rev. 2.0  
page 1  
2009-09-01  
1234567...11

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与IPB60R199CPAATMA1相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPB60R199CPATMA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 600V, 0.199ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPB60R199CPAXT INFINEON

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 		暂无描述
IPB60R210CFD7 INFINEON

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 		This?600V CoolMOS? CFD7?Superjunction MOSFET IPB60R210CFD7?in D2PAK package is?Infineon's
IPB60R230P6 INFINEON

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 		Material Content Data Sheet
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 		Material Content Data Sheet
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 		Power Field-Effect Transistor, 13.8A I(D), 600V, 0.28ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
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