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IPA60R360P7XKSA1 PDF预览

IPA60R360P7XKSA1

更新时间： 2024-11-26 20:03:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
14页 1113K
描述
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.36ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FP, 3 PIN

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IPA60R360P7XKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：2.27
雪崩能效等级（Eas）：27 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏源导通电阻：0.36 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最低工作温度：-55 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：26 A
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPA60R360P7XKSA1 数据手册

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IPA60R360P7  
MOSFET  
PG-TOꢀ220ꢀFP  
600VꢀCoolMOSªꢀP7ꢀPowerꢀTransistor  
TheꢀCoolMOS™ꢀ7thꢀgenerationꢀplatformꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀfor  
highꢀvoltageꢀpowerꢀMOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunction  
(SJ)ꢀprincipleꢀandꢀpioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀTheꢀ600V  
CoolMOS™ꢀP7ꢀseriesꢀisꢀtheꢀsuccessorꢀtoꢀtheꢀCoolMOS™ꢀP6ꢀseries.ꢀIt  
combinesꢀtheꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfastꢀswitchingꢀSJꢀMOSFETꢀwithꢀexcellentꢀease  
ofꢀuse,ꢀe.g.ꢀveryꢀlowꢀringingꢀtendency,ꢀoutstandingꢀrobustnessꢀofꢀbody  
diodeꢀagainstꢀhardꢀcommutationꢀandꢀexcellentꢀESDꢀcapability.  
Furthermore,ꢀextremelyꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlossesꢀmake  
switchingꢀapplicationsꢀevenꢀmoreꢀefficient,ꢀmoreꢀcompactꢀandꢀmuch  
cooler.  
Features  
Drain  
Pin 2  
•ꢀSuitableꢀforꢀhardꢀandꢀsoftꢀswitchingꢀ(PFCꢀandꢀLLC)ꢀdueꢀtoꢀanꢀoutstanding  
commutationꢀruggedness  
•ꢀSignificantꢀreductionꢀofꢀswitchingꢀandꢀconductionꢀlosses  
•ꢀExcellentꢀESDꢀrobustnessꢀ>2kVꢀ(HBM)ꢀforꢀallꢀproducts  
•ꢀBetterꢀRDS(on)/packageꢀproductsꢀcomparedꢀtoꢀcompetitionꢀenabledꢀbyꢀa  
lowꢀRDS(on)*Aꢀ(belowꢀ1Ohm*mm²)  
Gate  
Pin 1  
Source  
Pin 3  
•ꢀLargeꢀportfolioꢀwithꢀgranularꢀRDS(on)ꢀselectionꢀqualifiedꢀforꢀaꢀvarietyꢀof  
industrialꢀandꢀconsumerꢀgradeꢀapplicationsꢀaccordingꢀtoꢀJEDECꢀ(J-STD20  
andꢀJESD22)  
Benefits  
•ꢀEaseꢀofꢀuseꢀandꢀfastꢀdesign-inꢀthroughꢀlowꢀringingꢀtendencyꢀandꢀusage  
acrossꢀPFCꢀandꢀPWMꢀstages  
•ꢀSimplifiedꢀthermalꢀmanagementꢀdueꢀtoꢀlowꢀswitchingꢀandꢀconduction  
losses  
•ꢀIncreasedꢀpowerꢀdensityꢀsolutionsꢀenabledꢀbyꢀusingꢀproductsꢀwith  
smallerꢀfootprintꢀandꢀhigherꢀmanufacturingꢀqualityꢀdueꢀtoꢀ>2ꢀkVꢀESD  
protection  
•ꢀSuitableꢀforꢀaꢀwideꢀvarietyꢀofꢀapplicationsꢀandꢀpowerꢀranges  
Applications  
PFC,hardꢀswitchingꢀPWMꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀpowerꢀstages.ꢀe.g.PC  
Silverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTV,ꢀLighting,ꢀServer,Telecomꢀ&ꢀUPS  
Pleaseꢀnote:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀonꢀtheꢀgate  
orꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Qg.typ  
Value  
650  
360  
13  
Unit  
V
mΩ  
nC  
A
ID,pulse  
26  
Eoss@400V  
Body diode di/dt  
1.5  
µJ  
900  
A/µs  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
Package  
PG-TO 220 FullPAK  
Marking  
RelatedꢀLinks  
IPA60R360P7  
60R360P7  
see Appendix A  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.1,ꢀꢀ2017-03-02  
1234567...14

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