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IPA60R385CPXKSA1

更新时间: 2024-11-23 14:21:23
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英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 614K
描述
Power Field-Effect Transistor, 9A I(D), 650V, 0.385ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

IPA60R385CPXKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:7.88雪崩能效等级(Eas):227 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:650 V最大漏极电流 (ID):9 A
最大漏源导通电阻:0.385 ΩFET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码:TO-220ABJESD-30 代码:R-PSFM-T3
JESD-609代码:e3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM):27 A认证状态:Not Qualified
表面贴装:NO端子面层:Tin (Sn)
端子形式:THROUGH-HOLE端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICONBase Number Matches:1

IPA60R385CPXKSA1 数据手册

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IPA60R385CP  
CoolMOS® Power Transistor  
Features  
Product Summary  
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CoolMOS is specially designed for:  
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Type  
Package  
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Value  
Parameter  
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IPA60R385CPXKSA1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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