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IPA60R520CP

更新时间: 2024-11-26 11:08:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 559K
描述
CoolMos Power Transistor

IPA60R520CP 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.78雪崩能效等级(Eas):166 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (Abs) (ID):6.8 A
最大漏极电流 (ID):6.8 A最大漏源导通电阻:0.52 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):30 W最大脉冲漏极电流 (IDM):17 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPA60R520CP 数据手册

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IPA60R520CP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
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