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IPA60R520CP

更新时间： 2024-11-05 11:08:39

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	559K
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IPA60R520CP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-220AB
包装说明：	GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.78	雪崩能效等级（Eas）：	166 mJ
外壳连接：	ISOLATED	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	6.8 A
最大漏极电流 (ID)：	6.8 A	最大漏源导通电阻：	0.52 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	30 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	17 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IPA60R520CP 数据手册

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IPA60R520CP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IPA60R520CPXKSA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPA60R520C6XKSA1	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPA60R520C6	INFINEON	类似代替	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

与IPA60R520CP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IPA60R520CPXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPA60R520E6	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS E6 Power Transistor
IPA60R520E6XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPA60R600C6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R600CP	INFINEON	获取价格	CoolMos Power Transistor
IPA60R600CPXKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6.1A I(D), 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
IPA60R600E6	INFINEON	获取价格	600V CoolMOS E6 Power Transistor
IPA60R600P6	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R600P6_15	INFINEON	获取价格	Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R600P6XKSA1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Se

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