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IPA60R520CP

更新时间： 2024-09-13 11:08:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 559K
描述
CoolMos Power Transistor

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IPA60R520CP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-220AB
包装说明：GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
风险等级：5.78雪崩能效等级（Eas）：166 mJ
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：600 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：6.8 A
最大漏极电流 (ID)：6.8 A最大漏源导通电阻：0.52 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：30 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：17 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPA60R520CP 数据手册

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IPA60R520CP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IPA60R520CPXKSA1 INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPA60R520C6XKSA1 INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPA60R520C6 INFINEON

类似代替

 Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

与IPA60R520CP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPA60R520CPXKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPA60R520E6 INFINEON

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 		600V CoolMOS E6 Power Transistor
IPA60R520E6XKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPA60R600C6 INFINEON

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 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
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