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IPA60R520CPXKSA1

更新时间: 2024-09-13 18:58:03
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英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 407K
描述
Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN

IPA60R520CPXKSA1 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:TO-220AB
包装说明:GREEN, PLASTIC, TO-220FP, 3 PIN针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
Factory Lead Time:1 week风险等级:5.81
雪崩能效等级(Eas):166 mJ外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压:600 V
最大漏极电流 (ID):6.8 A最大漏源导通电阻:0.52 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM):17 A
认证状态:Not Qualified表面贴装:NO
端子面层:Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPA60R520CPXKSA1 数据手册

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IPA60R520CP  
CoolMOSTM Power Transistor  
Features  
Product Summary  
V
R
DS @ Tj,max  
650  
0.520  
24  
V
• Lowest figure-of-merit RON x Qg  
• Ultra low gate charge  
DS(on),max @ Tj = 25°C  
Q g,typ  
nC  
• Extreme dv/dt rated  
• High peak current capability  
• Qualified according to JEDEC1) for target applications  
PG-TO220 FP  
• Pb-free lead plating; RoHS compliant  
CoolMOS CP is designed for:  
• Hard switching SMPS topologies  
Type  
Package  
Marking  
IPA60R520CP  
PG-TO220 FP  
6R520P  
Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
Continuous drain current2)  
I D  
T C=25 °C  
T C=100 °C  
T C=25 °C  
6.8  
4.3  
A
Pulsed drain current3)  
17  
I D,pulse  
E AS  
I D=2.5 A, V DD=50 V  
I D=2.5 A, V DD=50 V  
Avalanche energy, single pulse  
Avalanche energy, repetitive t AR  
166  
mJ  
3),4)  
3),4)  
E AR  
0.25  
2.5  
I AR  
A
Avalanche current, repetitive t AR  
MOSFET dv /dt ruggedness  
Gate source voltage  
V
DS=0...480 V  
50  
dv /dt  
V GS  
V/ns  
V
±20  
static  
±30  
AC (f >1 Hz)  
T C=25 °C  
P tot  
30  
Power dissipation  
W
T j, T stg  
-55 ... 150  
Operating and storage temperature  
°C  
Rev. 2.1  
page 1  
2012-01-09  

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