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IPA60R460CE

更新时间： 2024-11-24 01:16:31
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英飞凌 - INFINEON /
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描述
600V CoolMOSª CE Power Transistor

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IPA60R460CE 数据手册

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IPD60R460CE,ꢀIPA60R460CE  
MOSFET  
DPAK  
PG-TOꢀ220ꢀFP  
600VꢀCoolMOSªꢀCEꢀPowerꢀTransistor  
tab  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀCoolMOS™ꢀCEꢀisꢀa  
2
1
3
price-performanceꢀoptimizedꢀplatformꢀenablingꢀtoꢀtargetꢀcostꢀsensitive  
applicationsꢀinꢀConsumerꢀandꢀLightingꢀmarketsꢀbyꢀstillꢀmeetingꢀhighest  
efficiencyꢀstandards.ꢀTheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfast  
switchingꢀSuperjunctionꢀMOSFETꢀwhileꢀnotꢀsacrificingꢀeaseꢀofꢀuseꢀand  
offeringꢀtheꢀbestꢀcostꢀdownꢀperformanceꢀratioꢀavailableꢀonꢀtheꢀmarket.  
Drain  
Pin 2, Tab  
Gate  
Pin 1  
Features  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss  
•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive  
Source  
Pin 3  
•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀHalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound  
•ꢀQualifiedꢀforꢀstandardꢀgradeꢀapplications  
Applications  
PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages  
forꢀe.g.ꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTVꢀandꢀindoorꢀlighting.  
Pleaseꢀnote:ꢀNote1:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀon  
theꢀgateꢀorꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
ꢀꢀꢀꢀNote2:ꢀ*6R460CEꢀisꢀFullꢀPAKꢀmarkingꢀonly  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Id.  
Value  
650  
460  
13.1  
28  
Unit  
V
mΩ  
A
Qg.typ  
nC  
A
ID,pulse  
26  
Eoss@400V  
2.5  
µJ  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
IPD60R460CE  
Package  
Marking  
60S460CE / 6R460CE*  
RelatedꢀLinks  
PG-TO 252  
see Appendix A  
IPA60R460CE  
PG-TO 220 FullPAK  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2016-08-08  
1234567...16

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与IPA60R460CE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPA60R460CE_16 INFINEON

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 		600V CoolMOSª CE Power Transistor
IPA60R460CEXKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPA60R520C6 INFINEON

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 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
IPA60R520C6XKSA1 INFINEON

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 8.1A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IPA60R520CP INFINEON

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 		CoolMos Power Transistor
IPA60R520CPXKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 6.8A I(D), 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
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 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.52ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
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