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IPA60R400CEXKSA1 PDF预览

IPA60R400CEXKSA1

更新时间： 2024-09-13 21:18:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
17页 1688K
描述
Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, TO-220FP, 3 PIN

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IPA60R400CEXKSA1 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：18 weeks风险等级：1.69
雪崩能效等级（Eas）：210 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：600 V
最大漏源导通电阻：0.4 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最低工作温度：-40 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：30 A表面贴装：NO
端子面层：Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IPA60R400CEXKSA1 数据手册

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IPD60R400CE,ꢀIPS60R400CE,ꢀIPA60R400CE  
MOSFET  
DPAK  
IPAKꢀSL  
PG-TOꢀ220ꢀFP  
600VꢀCoolMOSªꢀCEꢀPowerꢀTransistor  
tab  
tab  
CoolMOS™ꢀisꢀaꢀrevolutionaryꢀtechnologyꢀforꢀhighꢀvoltageꢀpower  
MOSFETs,ꢀdesignedꢀaccordingꢀtoꢀtheꢀsuperjunctionꢀ(SJ)ꢀprincipleꢀand  
pioneeredꢀbyꢀInfineonꢀTechnologies.ꢀCoolMOS™ꢀCEꢀisꢀa  
2
1
3
price-performanceꢀoptimizedꢀplatformꢀenablingꢀtoꢀtargetꢀcostꢀsensitive  
applicationsꢀinꢀConsumerꢀandꢀLightingꢀmarketsꢀbyꢀstillꢀmeetingꢀhighest  
efficiencyꢀstandards.ꢀTheꢀnewꢀseriesꢀprovidesꢀallꢀbenefitsꢀofꢀaꢀfast  
switchingꢀSuperjunctionꢀMOSFETꢀwhileꢀnotꢀsacrificingꢀeaseꢀofꢀuseꢀand  
offeringꢀtheꢀbestꢀcostꢀdownꢀperformanceꢀratioꢀavailableꢀonꢀtheꢀmarket.  
Drain  
Pin 2, Tab  
Gate  
Pin 1  
Features  
•ꢀExtremelyꢀlowꢀlossesꢀdueꢀtoꢀveryꢀlowꢀFOMꢀRdson*QgꢀandꢀEoss  
•ꢀVeryꢀhighꢀcommutationꢀruggedness  
•ꢀEasyꢀtoꢀuse/drive  
Source  
Pin 3  
•ꢀPb-freeꢀplating,ꢀHalogenꢀfreeꢀmoldꢀcompound  
•ꢀQualifiedꢀforꢀstandardꢀgradeꢀapplications  
Applications  
PFCꢀstages,ꢀhardꢀswitchingꢀPWMꢀstagesꢀandꢀresonantꢀswitchingꢀstages  
forꢀe.g.ꢀPCꢀSilverbox,ꢀAdapter,ꢀLCDꢀ&ꢀPDPꢀTVꢀandꢀindoorꢀlighting.  
Pleaseꢀnote:ꢀNote1:ꢀForꢀMOSFETꢀparallelingꢀtheꢀuseꢀofꢀferriteꢀbeadsꢀon  
theꢀgateꢀorꢀseparateꢀtotemꢀpolesꢀisꢀgenerallyꢀrecommended.ꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀꢀ  
ꢀꢀꢀꢀNote2:ꢀ*6R400CEꢀisꢀFullꢀPAKꢀmarkingꢀonly  
Tableꢀ1ꢀꢀꢀꢀꢀKeyꢀPerformanceꢀParameters  
Parameter  
VDS @ Tj,max  
RDS(on),max  
Id.  
Value  
650  
400  
14.7  
32  
Unit  
V
mΩ  
A
Qg.typ  
nC  
A
ID,pulse  
30  
Eoss@400V  
2.8  
µJ  
Typeꢀ/ꢀOrderingꢀCode  
IPD60R400CE  
Package  
Marking  
RelatedꢀLinks  
PG-TO 252  
PG-TO 251  
IPS60R400CE  
60S400CE / 6R400CE*  
see Appendix A  
IPA60R400CE  
PG-TO 220 FullPAK  
Final Data Sheet  
1
Rev.ꢀ2.2,ꢀꢀ2016-08-08  
1234567...17

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IPA60R450E6 INFINEON

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 		600V CoolMOS E6 Power Transistor
IPA60R460CE INFINEON

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IPA60R460CE_16 INFINEON

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 		600V CoolMOSª CE Power Transistor
IPA60R460CEXKSA1 INFINEON

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 		Power Field-Effect Transistor, 600V, 0.46ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide S
IPA60R520C6 INFINEON

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 		Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor
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