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IPA60R380C6

更新时间: 2024-11-05 11:08:39
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英飞凌 - INFINEON 晶体半导体晶体管场效应晶体管
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19页 2060K
描述
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

IPA60R380C6 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended零件包装代码:TO-220AB
包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数:3
Reach Compliance Code:compliant风险等级:8.42
其他特性:HIGH VOLTAGE雪崩能效等级(Eas):210 mJ
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:600 V最大漏极电流 (Abs) (ID):10.6 A
最大漏极电流 (ID):10.6 A最大漏源导通电阻:0.38 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3JESD-609代码:e3
元件数量:1端子数量:3
工作模式:ENHANCEMENT MODE最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:FLANGE MOUNT峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
极性/信道类型:N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs):31 W
最大脉冲漏极电流 (IDM):30 A认证状态:Not Qualified
子类别:FET General Purpose Power表面贴装:NO
端子面层:Matte Tin (Sn)端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
Base Number Matches:1

IPA60R380C6 数据手册

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MOSFET  
Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor  
CoolMOS C6  
600V CoolMOS™ C6 Power Transistor  
IPx60R380C6  
Data Sheet  
Rev. 2.0, 2009-08-27  
Final  
Industrial & Multimarket  

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