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IHW40N60R

更新时间： 2024-02-10 03:45:13

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英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
12页	787K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IHW40N60R 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	End Of Life	零件包装代码：	TO-247AD
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
Factory Lead Time：	1 week	风险等级：	6.79
最大集电极电流 (IC)：	80 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	门极发射器阈值电压最大值：	5.7 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	305 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	264 ns	Base Number Matches：	1

IHW40N60R 数据手册

IHW40N60R

IH-series

120

100

V•Š=20V

17V

15V

13V

11V

V•Š=20V

17V

15V

13V

11V

120

100

V†Š, COLLECTOR-EMITTER VOLTAGE [V]

Figure 5. Typical output characteristic

(TÎ=25°C)

Figure 6. Typical output characteristic

(TÎ=175°C)

120

3.0

TÎ=25°C

TÎ=175°C

I†=20A

I†=40A

I†=80A

100

2.5

2.0

1.5

1.0

V•Š, GATE-EMITTER VOLTAGE [V]

TÎ, JUNCTION TEMPERATURE [°C]

100

125

150

175

Figure 7. Typical transfer characteristic

(V†Š=20V)

Figure 8. Typical collector-emitter saturation voltage

as a function of junction temperature

(V•Š=15V)

Rev 2.4 2009-12-02

Rev. 2.3 2008-09-26

1 2 3 456 7 8...12

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