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IHW40N60R

更新时间： 2024-02-27 14:04:13
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
12页 787K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 80A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, GREEN, PLASTIC, TO-247, 3 PIN

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IHW40N60R 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：End Of Life零件包装代码：TO-247AD
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
Factory Lead Time：1 week风险等级：6.79
最大集电极电流 (IC)：80 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE门极发射器阈值电压最大值：5.7 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AD
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：305 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：264 nsBase Number Matches：1

IHW40N60R 数据手册

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IHW40N60R  
IH-series  
Thermal Resistance  
Parameter  
Symbol Conditions  
Max. Value  
Unit  
Characteristic  
IGBT thermal resistance,  
junction - case  
RÚÌñÎ-Êò  
RÚÌñÎ-Êò  
RÚÌñÎ-Èò  
0.49  
0.49  
40  
K/W  
K/W  
K/W  
Diode thermal resistance,  
junction - case  
Thermal resistance  
junction - ambient  
Electrical Characteristic, at TÝÎ = 25°C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
min. typ. max.  
Static Characteristic  
Collector-emitter breakdown voltage Vñ…çò†Š» V•Š = 0V, I† = 0.50mA  
600  
-
-
V
V
V•Š = 15.0V, I† = 40.0A  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 175°C  
Collector-emitter saturation voltage V†ŠÙÈÚ  
-
-
1.65 2.05  
2.10  
-
V•Š = 0V, IŒ = 40.0A  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 175°C  
Diode forward voltage  
VŒ  
-
-
1.65 2.05  
1.90  
V
V
Gate-emitter threshold voltage  
V•ŠñÚÌò  
I† = 0.58mA, V†Š = V•Š  
4.1  
4.9  
5.7  
V†Š = 600V, V•Š = 0V  
TÝÎ = 25°C  
TÝÎ = 175°C  
Zero gate voltage collector current I†Š»  
-
-
-
-
40.0 µA  
1000.0  
Gate-emitter leakage current  
Transconductance  
I•Š»  
gËÙ  
V†Š = 0V, V•Š = 20V  
V†Š = 20V, I† = 40.0A  
-
-
-
100  
-
nA  
S
19.0  
none  
Integrated gate resistor  
r•  
Â
Electrical Characteristic, at TÝÎ = 25°C, unless otherwise specified  
Value  
Parameter  
Symbol Conditions  
Unit  
min. typ. max.  
Dynamic Characteristic  
Input capacitance  
CÍþÙ  
-
-
-
2370  
81  
-
-
-
Output capacitance  
CÓþÙ  
CØþÙ  
V†Š = 25V, V•Š = 0V, f = 1MHz  
pF  
Reverse transfer capacitance  
63  
V†† = 480V, I† = 40.0A,  
V•Š = 15V  
Gate charge  
Q•  
LŠ  
-
-
223.0  
13.0  
-
-
nC  
nH  
Internal emitter inductance  
measured 5mm (0.197 in.) from  
case  
Rev 2.4 2009-12-02  
2
1234567...12

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IHW40N60R 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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