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HYB25D512400CC-5

更新时间: 2024-11-18 20:24:15
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英飞凌 - INFINEON 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
89页 4143K
描述
DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, PLASTIC, TFBGA-60

HYB25D512400CC-5 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA,针数:60
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.12
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PBGA-B60
长度:12 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:60字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128MX4封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.6 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM宽度:10 mm
Base Number Matches:1

HYB25D512400CC-5 数据手册

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Data Sheet, Rev. 1.30, Nov. 2005  
HYB25D512400C[E/T/F/C](L)  
HYB25D512800C[E/T/F/C](L)  
HYB25D512160C[E/T/F](L)  
512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM  
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Memory Products  
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