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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Transferred |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TBGA, |
| 针数： | 60 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.28 |
| 风险等级： | 5.12 | 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST |
| 最长访问时间： | 0.5 ns | 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 | JESD-609代码： | e1 |
| 长度： | 12 mm | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 4 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 134217728 words |
| 字数代码： | 128000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 128MX4 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TBGA | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 认证状态： | Not Qualified | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.6 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 宽度： | 10 mm | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HYB25D512400CFL-6 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR SDRAM |
|
| HYB25D512400CT-5 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 |
|
| HYB25D512400CT-5 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR SDRAM |
|
| HYB25D512400CT-6 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR SDRAM |
|
| HYB25D512400CT-6 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 |
|
| HYB25D512400DE-6 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66 |
|
| HYB25D512400DT-6 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 |
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| HYB25D512800AC-6 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 18 X 10 MM, FBGA-60 |
|
| HYB25D512800AE-8 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.8ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 |
|
| HYB25D512800AEL-6 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66 |
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