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HYB25D512400CT-6

更新时间： 2024-11-18 20:24:15

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英飞凌 - INFINEON		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
89页	4143K
描述
DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66

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HYB25D512400CT-6 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TSOP2
包装说明：	TSSOP,	针数：	66
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.28	风险等级：	5.11
Is Samacsys：	N	访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间：	0.7 ns	其他特性：	AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	长度：	22.22 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	4	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	128MX4
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
认证状态：	Not Qualified	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V	标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

Data Sheet, Rev. 1.30, Nov. 2005

HYB25D512400C[E/T/F/C](L)

HYB25D512800C[E/T/F/C](L)

HYB25D512160C[E/T/F](L)

512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM

DDR SDRAM

RoHS Compliant Products

Memory Products

N e v e r s t o p t h i n k i n g .

12 3 4 5 6 7...89

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYB25D512400DE-6	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66
HYB25D512400DT-6	QIMONDA	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
HYB25D512800AC-6	INFINEON	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 18 X 10 MM, FBGA-60
HYB25D512800AE-8	INFINEON	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.8ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
HYB25D512800AEL-6	INFINEON	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-66
HYB25D512800AFL-6	INFINEON	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, 18 X 10 MM, FBGA-60
HYB25D512800AT	INFINEON	获取价格	512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512800AT-6	INFINEON	获取价格	512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512800AT-7	INFINEON	获取价格	512Mbit Double Data Rate SDRAM
HYB25D512800AT-7F	INFINEON	获取价格	512Mbit Double Data Rate SDRAM