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HYB25D512800BC-5

更新时间: 2024-11-20 05:37:31
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奇梦达 - QIMONDA 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
38页 2063K
描述
512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM

HYB25D512800BC-5 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数:66Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.55Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):200 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B60JESD-609代码:e0
长度:12 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:8
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:60
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64MX8
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA封装等效代码:BGA60,9X12,40/32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):245电源:2.5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.004 A
子类别:DRAMs最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.5 V标称供电电压 (Vsup):2.6 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:20
宽度:10 mmBase Number Matches:1

HYB25D512800BC-5 数据手册

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September 2006  
HYB25D512[40/80/16]0B[C/T](L)  
HYB25D512[40/80/16]0B[E/F](L)  
512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM  
DDR SDRAM  
Internet Data Sheet  
Rev. 1.63  

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