是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TBGA, BGA60,9X12,40/32 |
针数: | 60 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.1 | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz | I/O 类型: | COMMON |
交错的突发长度: | 2,4,8 | JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 12 mm |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 60 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TBGA | 封装等效代码: | BGA60,9X12,40/32 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 2.5 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8 | 最大待机电流: | 0.004 A |
子类别: | DRAMs | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | BALL | 端子节距: | 1 mm |
端子位置: | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYB25D512800BE-5 | INFINEON |
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512Mbit Double Data Rate SDRAM | |
HYB25D512800BE-6 | INFINEON |
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512Mbit Double Data Rate SDRAM | |
HYB25D512800BE-6 | QIMONDA |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66 | |
HYB25D512800BF-6 | INFINEON |
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512Mbit Double Data Rate SDRAM | |
HYB25D512800BF-6 | QIMONDA |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 | |
HYB25D512800BT | INFINEON |
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512Mbit Double Data Rate SDRAM | |
HYB25D512800BT | QIMONDA |
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512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | |
HYB25D512800BT-5 | QIMONDA |
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512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | |
HYB25D512800BT-5 | INFINEON |
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512Mbit Double Data Rate SDRAM | |
HYB25D512800BT-6 | QIMONDA |
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512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM |