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HYB25D512800CC-6

更新时间: 2024-11-20 20:24:15
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英飞凌 - INFINEON 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
89页 4143K
描述
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, PLASTIC, TFBGA-60

HYB25D512800CC-6 技术参数

生命周期:Transferred零件包装代码:BGA
包装说明:TBGA,针数:60
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.28风险等级:5.11
Is Samacsys:N访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
JESD-30 代码:R-PBGA-B60长度:12 mm
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:60
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
认证状态:Not Qualified座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
宽度:10 mmBase Number Matches:1

HYB25D512800CC-6 数据手册

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Data Sheet, Rev. 1.30, Nov. 2005  
HYB25D512400C[E/T/F/C](L)  
HYB25D512800C[E/T/F/C](L)  
HYB25D512160C[E/T/F](L)  
512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM  
DDR SDRAM  
RoHS Compliant Products  
Memory Products  
N e v e r s t o p t h i n k i n g .  

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