生命周期: | Transferred | 零件包装代码: | BGA |
包装说明: | TBGA, | 针数: | 60 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.28 | 风险等级: | 5.11 |
Is Samacsys: | N | 访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST |
最长访问时间: | 0.7 ns | 其他特性: | AUTO/SELF REFRESH |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 | 长度: | 12 mm |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 60 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64MX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
宽度: | 10 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYB25D512800CE-5 | QIMONDA |
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DDR SDRAM | |
HYB25D512800CE-5 | INFINEON |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66 | |
HYB25D512800CE-6 | QIMONDA |
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DDR SDRAM | |
HYB25D512800CEL-5 | QIMONDA |
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DDR SDRAM | |
HYB25D512800CEL-5 | INFINEON |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66 | |
HYB25D512800CEL-6 | QIMONDA |
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DDR SDRAM | |
HYB25D512800CEL-6 | INFINEON |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66 | |
HYB25D512800CF-5 | QIMONDA |
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DDR SDRAM | |
HYB25D512800CF-5 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 | |
HYB25D512800CF-6 | QIMONDA |
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DDR SDRAM |