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HYB25D512800CEL-6

更新时间： 2024-11-18 20:24:15

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英飞凌 - INFINEON		动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
89页	4143K
描述
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66

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HYB25D512800CEL-6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSSOP,
针数：	66	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.11	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	JESD-30 代码：	R-PDSO-G66
JESD-609代码：	e3	长度：	22.22 mm
内存密度：	536870912 bit	内存集成电路类型：	DDR DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	67108864 words	字数代码：	64000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度（摄氏度）：	260	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

Data Sheet, Rev. 1.30, Nov. 2005

HYB25D512400C[E/T/F/C](L)

HYB25D512800C[E/T/F/C](L)

HYB25D512160C[E/T/F](L)

512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM

DDR SDRAM

RoHS Compliant Products

Memory Products

N e v e r s t o p t h i n k i n g .

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYB25D512800CF-5	QIMONDA	获取价格	DDR SDRAM
HYB25D512800CF-5	INFINEON	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60
HYB25D512800CF-6	QIMONDA	获取价格	DDR SDRAM
HYB25D512800CF-6	INFINEON	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60
HYB25D512800CFL-5	QIMONDA	获取价格	DDR SDRAM
HYB25D512800CFL-5	INFINEON	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60
HYB25D512800CFL-6	QIMONDA	获取价格	DDR SDRAM
HYB25D512800CFL-6	INFINEON	获取价格	DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60
HYB25D512800CT-5	QIMONDA	获取价格	DDR SDRAM
HYB25D512800CT-6	QIMONDA	获取价格	DDR SDRAM