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HYB25D512800CFL-5

更新时间: 2024-11-18 20:24:15
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英飞凌 - INFINEON 动态存储器双倍数据速率内存集成电路
页数 文件大小 规格书
89页 4143K
描述
DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60

HYB25D512800CFL-5 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:BGA包装说明:TBGA,
针数:60Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.11Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.5 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESHJESD-30 代码:R-PBGA-B60
JESD-609代码:e1长度:12 mm
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:60
字数:67108864 words字数代码:64000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:64MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TBGA
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.5 V
标称供电电压 (Vsup):2.6 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:10 mm
Base Number Matches:1

HYB25D512800CFL-5 数据手册

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Data Sheet, Rev. 1.30, Nov. 2005  
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