是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TBGA, |
针数: | 60 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.11 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.5 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 |
JESD-609代码: | e1 | 长度: | 12 mm |
内存密度: | 536870912 bit | 内存集成电路类型: | DDR DRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 60 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64MX8 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 认证状态: | Not Qualified |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.6 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYB25D512800CFL-6 | QIMONDA |
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DDR SDRAM | |
HYB25D512800CFL-6 | INFINEON |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 | |
HYB25D512800CT-5 | QIMONDA |
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DDR SDRAM | |
HYB25D512800CT-6 | QIMONDA |
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DDR SDRAM | |
HYB25D512800CT-6 | INFINEON |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 | |
HYB25D512800DF-5 | QIMONDA |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 | |
HYB25D512800DT-5 | QIMONDA |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 | |
HYB25D512800TC-3 | INFINEON |
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MEMORY SPECTRUM | |
HYB25D512800TC-37 | INFINEON |
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MEMORY SPECTRUM | |
HYB25D512800TC-5 | INFINEON |
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MEMORY SPECTRUM |