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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | BGA | 包装说明： | TBGA, BGA60,9X12,40/32 |
| 针数： | 60 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.28 |
| 风险等级： | 5.67 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.7 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PBGA-B60 | 长度： | 12 mm |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | DDR DRAM |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 功能数量： | 1 | 端口数量： | 1 |
| 端子数量： | 60 | 字数： | 67108864 words |
| 字数代码： | 64000000 | 工作模式： | SYNCHRONOUS |
| 最高工作温度： | 85 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 64MX8 | 输出特性： | 3-STATE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | TBGA |
| 封装等效代码： | BGA60,9X12,40/32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 2.6 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 刷新周期： | 8192 | 座面最大高度： | 1.2 mm |
| 自我刷新： | YES | 连续突发长度： | 2,4,8 |
| 最大待机电流： | 0.0046 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.23 mA | 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V |
| 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V | 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | OTHER | 端子形式： | BALL |
| 端子节距： | 1 mm | 端子位置： | BOTTOM |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 10 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HYB25D512800CFL-6 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR SDRAM |
|
| HYB25D512800CFL-6 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 |
|
| HYB25D512800CT-5 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR SDRAM |
|
| HYB25D512800CT-6 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR SDRAM |
|
| HYB25D512800CT-6 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 |
|
| HYB25D512800DF-5 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 |
|
| HYB25D512800DT-5 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66 |
|
| HYB25D512800TC-3 | INFINEON |
获取价格 |
MEMORY SPECTRUM |
|
| HYB25D512800TC-37 | INFINEON |
获取价格 |
MEMORY SPECTRUM |
|
| HYB25D512800TC-5 | INFINEON |
获取价格 |
MEMORY SPECTRUM |
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