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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TSOP2 | 包装说明： | TSOP2, TSSOP66,.46 |
| 针数： | 66 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8542.32.00.28 |
| 风险等级： | 5.64 | Is Samacsys： | N |
| 访问模式： | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间： | 0.7 ns |
| 其他特性： | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK)： | 200 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | 交错的突发长度： | 2,4,8 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G66 | JESD-609代码： | e3 |
| 长度： | 22.22 mm | 内存密度： | 536870912 bit |
| 内存集成电路类型： | DDR DRAM | 内存宽度： | 8 |
| 湿度敏感等级： | 1 | 功能数量： | 1 |
| 端口数量： | 1 | 端子数量： | 66 |
| 字数： | 67108864 words | 字数代码： | 64000000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 64MX8 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSOP2 | 封装等效代码： | TSSOP66,.46 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 2.6 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 8192 |
| 座面最大高度： | 1.2 mm | 自我刷新： | YES |
| 连续突发长度： | 2,4,8 | 最大待机电流： | 0.0046 A |
| 子类别： | DRAMs | 最大压摆率： | 0.23 mA |
| 最大供电电压 (Vsup)： | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup)： | 2.3 V |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 2.5 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | OTHER |
| 端子面层： | Matte Tin (Sn) | 端子形式： | GULL WING |
| 端子节距： | 0.65 mm | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 宽度： | 10.16 mm |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| HYB25D512800CE-6 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR SDRAM |
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| HYB25D512800CEL-5 | QIMONDA |
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DDR SDRAM |
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| HYB25D512800CEL-5 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66 |
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| HYB25D512800CEL-6 | QIMONDA |
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DDR SDRAM |
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| HYB25D512800CEL-6 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66 |
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| HYB25D512800CF-5 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR SDRAM |
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| HYB25D512800CF-5 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 |
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| HYB25D512800CF-6 | QIMONDA |
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DDR SDRAM |
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| HYB25D512800CF-6 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 |
|
| HYB25D512800CFL-5 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR SDRAM |
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