是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TSOP2 | 包装说明: | TSOP2, TSSOP66,.46 |
针数: | 66 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.67 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.7 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G66 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 22.22 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 1 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 66 |
字数: | 67108864 words | 字数代码: | 64000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 85 °C |
最低工作温度: | 组织: | 64MX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSSOP66,.46 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.6 V |
认证状态: | Not Qualified | 刷新周期: | 8192 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 自我刷新: | YES |
连续突发长度: | 2,4,8 | 最大待机电流: | 0.0046 A |
子类别: | DRAMs | 最大压摆率: | 0.23 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | OTHER |
端子面层: | Matte Tin (Sn) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.65 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYB25D512800CEL-6 | QIMONDA |
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DDR SDRAM | |
HYB25D512800CEL-6 | INFINEON |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PDSO66, GREEN, PLASTIC, TSOP2-66 | |
HYB25D512800CF-5 | QIMONDA |
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DDR SDRAM | |
HYB25D512800CF-5 | INFINEON |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 | |
HYB25D512800CF-6 | QIMONDA |
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DDR SDRAM | |
HYB25D512800CF-6 | INFINEON |
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DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 | |
HYB25D512800CFL-5 | QIMONDA |
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DDR SDRAM | |
HYB25D512800CFL-5 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.5ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 | |
HYB25D512800CFL-6 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR SDRAM | |
HYB25D512800CFL-6 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM, 64MX8, 0.7ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60 |