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HYB25D512800AT-7

更新时间: 2024-11-18 05:37:35
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英飞凌 - INFINEON 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
76页 2508K
描述
512Mbit Double Data Rate SDRAM

HYB25D512800AT-7 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46
针数:66Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.74Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.75 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):143 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66JESD-609代码:e0
长度:22.22 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:8
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:67108864 words
字数代码:64000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64MX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.014 A子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

HYB25D512800AT-7 数据手册

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Data Sheet, Rev. 1.0, March 2004  
HYB25D512400AT  
HYB25D512800AT  
HYB25D512160AT  
512Mbit Double Data Rate SDRAM  
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