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HYB25D512400CT-6

更新时间: 2024-11-18 04:27:19
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奇梦达 - QIMONDA 存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
37页 1880K
描述
DDR SDRAM

HYB25D512400CT-6 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSSOP66,.46
针数:66Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.73Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):166 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PDSO-G66长度:22.22 mm
内存密度:536870912 bit内存集成电路类型:DDR DRAM
内存宽度:4湿度敏感等级:1
功能数量:1端口数量:1
端子数量:66字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:85 °C最低工作温度:
组织:128MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSSOP66,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):245
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.0046 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.205 mA最大供电电压 (Vsup):2.7 V
最小供电电压 (Vsup):2.3 V标称供电电压 (Vsup):2.5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:OTHER端子形式:GULL WING
端子节距:0.65 mm端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:20宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

HYB25D512400CT-6 数据手册

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September 2006  
HYB25D512400C[E/T/F/C](L)  
HYB25D512800C[E/T/F/C](L)  
HYB25D512160C[E/T/F](L)  
DDR SDRAM  
RoHS Compliant Products  
Internet Data Sheet  
Rev. 1.31  

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