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HYB25D512400CE-6

更新时间： 2024-11-20 04:27:15

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奇梦达 - QIMONDA		存储内存集成电路光电二极管动态存储器双倍数据速率时钟
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DDR SDRAM

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HYB25D512400CE-6 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSSOP66,.46
针数：	66	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.28
风险等级：	5.66	Is Samacsys：	N
访问模式：	FOUR BANK PAGE BURST	最长访问时间：	0.7 ns
其他特性：	AUTO/SELF REFRESH	最大时钟频率 (fCLK)：	166 MHz
I/O 类型：	COMMON	交错的突发长度：	2,4,8
JESD-30 代码：	R-PDSO-G66	JESD-609代码：	e3
长度：	22.22 mm	内存密度：	536870912 bit
内存集成电路类型：	DDR DRAM	内存宽度：	4
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	66
字数：	134217728 words	字数代码：	128000000
工作模式：	SYNCHRONOUS	最高工作温度：	85 °C
最低工作温度：		组织：	128MX4
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装等效代码：	TSSOP66,.46
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	2.5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	8192
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
连续突发长度：	2,4,8	最大待机电流：	0.0046 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.205 mA
最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.3 V
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.65 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

HYB25D512400CE-6 数据手册

September 2006

HYB25D512400C[E/T/F/C](L)

HYB25D512800C[E/T/F/C](L)

HYB25D512160C[E/T/F](L)

DDR SDRAM

RoHS Compliant Products

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Rev. 1.31

12 3 4 5 6 7...37

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
HYB25D512400CF-5	INFINEON	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60
HYB25D512400CF-5	QIMONDA	获取价格	DDR SDRAM
HYB25D512400CF-6	QIMONDA	获取价格	DDR SDRAM
HYB25D512400CF-6	INFINEON	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.7ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60
HYB25D512400CFL-5	QIMONDA	获取价格	DDR SDRAM
HYB25D512400CFL-5	INFINEON	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, GREEN, PLASTIC, TFBGA-60
HYB25D512400CFL-6	QIMONDA	获取价格	DDR SDRAM
HYB25D512400CT-5	INFINEON	获取价格	DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, TSOP2-66
HYB25D512400CT-5	QIMONDA	获取价格	DDR SDRAM
HYB25D512400CT-6	QIMONDA	获取价格	DDR SDRAM