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HYB25D512400CFL-5

更新时间: 2024-11-18 03:25:19
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奇梦达 - QIMONDA 动态存储器双倍数据速率
页数 文件大小 规格书
37页 1880K
描述
DDR SDRAM

HYB25D512400CFL-5 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:BGA包装说明:TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数:60Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.66访问模式:FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间:0.7 ns其他特性:AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK):200 MHzI/O 类型:COMMON
交错的突发长度:2,4,8JESD-30 代码:R-PBGA-B60
长度:12 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:4
湿度敏感等级:3功能数量:1
端口数量:1端子数量:60
字数:134217728 words字数代码:128000000
工作模式:SYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:组织:128MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:TBGA封装等效代码:BGA60,9X12,40/32
封装形状:RECTANGULAR封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE
峰值回流温度(摄氏度):260电源:2.6 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:8192
座面最大高度:1.2 mm自我刷新:YES
连续突发长度:2,4,8最大待机电流:0.0046 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.23 mA
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:OTHER
端子形式:BALL端子节距:1 mm
端子位置:BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间:40
宽度:10 mmBase Number Matches:1

HYB25D512400CFL-5 数据手册

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September 2006  
HYB25D512400C[E/T/F/C](L)  
HYB25D512800C[E/T/F/C](L)  
HYB25D512160C[E/T/F](L)  
DDR SDRAM  
RoHS Compliant Products  
Internet Data Sheet  
Rev. 1.31  

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