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HYB25D512400BF-6

更新时间: 2024-11-29 22:07:03
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英飞凌 - INFINEON 存储内存集成电路动态存储器双倍数据速率时钟
页数 文件大小 规格书
90页 3133K
描述
512Mbit Double Data Rate SDRAM

HYB25D512400BF-6 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Transferred
零件包装代码:BGA包装说明:TBGA, BGA60,9X12,40/32
针数:60Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.28
风险等级:5.12Is Samacsys:N
访问模式:FOUR BANK PAGE BURST最长访问时间:0.7 ns
其他特性:AUTO/SELF REFRESH最大时钟频率 (fCLK):166 MHz
I/O 类型:COMMON交错的突发长度:2,4,8
JESD-30 代码:R-PBGA-B60JESD-609代码:e1
长度:12 mm内存密度:536870912 bit
内存集成电路类型:DDR DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:60字数:134217728 words
字数代码:128000000工作模式:SYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:128MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TBGA
封装等效代码:BGA60,9X12,40/32封装形状:RECTANGULAR
封装形式:GRID ARRAY, THIN PROFILE峰值回流温度(摄氏度):260
电源:2.5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:8192座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:YES连续突发长度:2,4,8
最大待机电流:0.004 A子类别:DRAMs
最大供电电压 (Vsup):2.7 V最小供电电压 (Vsup):2.3 V
标称供电电压 (Vsup):2.5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:BALL
端子节距:1 mm端子位置:BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间:40宽度:10 mm
Base Number Matches:1

HYB25D512400BF-6 数据手册

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Data Sheet, Rev. 1.2, June 2004  
HYB25D512[40/80/16]0B[C/T]  
HYB25D512[40/80/16]0B[E/F]  
512Mbit Double Data Rate SDRAM  
DDR SDRAM  
Memory Products  
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