是否Rohs认证: | 符合 | 生命周期: | Transferred |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | TBGA, BGA60,9X12,40/32 |
针数: | 60 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8542.32.00.28 |
风险等级: | 5.12 | Is Samacsys: | N |
访问模式: | FOUR BANK PAGE BURST | 最长访问时间: | 0.7 ns |
其他特性: | AUTO/SELF REFRESH | 最大时钟频率 (fCLK): | 166 MHz |
I/O 类型: | COMMON | 交错的突发长度: | 2,4,8 |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B60 | JESD-609代码: | e1 |
长度: | 12 mm | 内存密度: | 536870912 bit |
内存集成电路类型: | DDR DRAM | 内存宽度: | 4 |
功能数量: | 1 | 端口数量: | 1 |
端子数量: | 60 | 字数: | 134217728 words |
字数代码: | 128000000 | 工作模式: | SYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 70 °C | 最低工作温度: | |
组织: | 128MX4 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TBGA |
封装等效代码: | BGA60,9X12,40/32 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | GRID ARRAY, THIN PROFILE | 峰值回流温度(摄氏度): | 260 |
电源: | 2.5 V | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 8192 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
自我刷新: | YES | 连续突发长度: | 2,4,8 |
最大待机电流: | 0.004 A | 子类别: | DRAMs |
最大供电电压 (Vsup): | 2.7 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.3 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 10 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
HYB25D512400BR-7.5 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX4, CMOS, PDMA66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSSOP2-66 | |
HYB25D512400BS-7.5 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM Module, 128MX4, CMOS, PDMA66, 0.400 INCH, PLASTIC, TSSOP2-66 | |
HYB25D512400BT-6 | INFINEON |
获取价格 |
512Mbit Double Data Rate SDRAM | |
HYB25D512400BT-6 | QIMONDA |
获取价格 |
512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | |
HYB25D512400BT-7 | QIMONDA |
获取价格 |
512-Mbit Double-Data-Rate SDRAM | |
HYB25D512400BT-7 | INFINEON |
获取价格 |
512Mbit Double Data Rate SDRAM | |
HYB25D512400C | QIMONDA |
获取价格 |
DDR SDRAM | |
HYB25D512400CC-5 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR SDRAM | |
HYB25D512400CC-5 | INFINEON |
获取价格 |
DDR DRAM, 128MX4, 0.5ns, CMOS, PBGA60, PLASTIC, TFBGA-60 | |
HYB25D512400CC-6 | QIMONDA |
获取价格 |
DDR SDRAM |